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姓 名: 文林
性 别:
职 务:
职 称: 研究员(自然科学)
通讯地址: 乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码: 830011
电子邮件: wenlin@ms.xjb.ac.cn

简历:

  1982年出生于湖北省天门市。

  2008年毕业于新疆大学物理学院,获理学硕士学位。同年到新疆理化所工作,被聘为助理研究员。

  2014年聘为副研究员。

主要研究领域:

  光电材料与器件辐射效应损伤机理及数值仿真技术

代表性文章

  1.文林,郭旗,张军,任迪远等,屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤,核电子学与探测技术,2009,29(2):398-401.

  2.文林,张军,郭旗,任迪远等,电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果,新疆大学学报:自然科学版,2008,25(3):322-324.

  3.文林,李豫东,郭旗等,质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析,NED2014,中国,兰州.

  4.文林,李豫东,郭旗等,CCD在3MeV和10MeV质子辐照下的暗信号退化原因分析,中国核学会辐射物理分会,2014,中国,西安.

  5.文林,李豫东,郭旗等,CCD在质子辐射环境下的位移损伤机理分析,2014半导体分立器件年会,2014,中国,太原.

  6.文林,李豫东,郭旗等,深亚微米器件窄沟道效应对NMOSFET总剂量效应的影响,第七届中国微纳电子技术交流与学术讨论会,2014.

  7.文林,李豫东,郭旗等,N沟道MOSFET的电子辐照参数退化行为分析,甘新两省物理学会年会,2014,中国,西宁.

  8.张晋新,郭红霞,文林,郭旗等.锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟.强激光与粒子束,2013,25(9):2433-2438.

  9.Jin-Xin Zhang,Hong-Xia Guo,Lin Wen,Qi Guo,et al.,Xiao.3-D Simulation of Angled Strike Heavy-Ion Induced Charge Collection in SiGe HBTs.proceeding of 10th,2012,Japan.

  10.Jinxin Zhang,Hongxia Guo,Lin Wen,Diyuan Ren,et al.,Dose Rate Effects of SiGe HBT for Gamma Ray under Different biases.proceeding of 50th IEEE,2013,USA.(received)

  11.张晋新,郭红霞,郭旗,文林,崔江维等.重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟.物理学报,2013,62(4):048501-1.

研究领域:

微电子学与固体电子学

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